锑化物低维结构与光电器件
日期：2023/09/14 - 2023/09/14
学术讲座：锑化物低维结构与光电器件
主讲人：Zai-xing Yang, full professor of School of Physics at Shandong University
时间：2023年9月14日（周四）上午10:00-11:00
地点: 龙宾楼414B会议室
讲座摘要
锑化物被认为是继砷化物、磷化物、氮化物等III-V族体系获得巨大成功后的新的前沿方向。美、日、德等发达国家竞相开展相关研究，并从2009年起将锑化物半导体和器件列为出口封锁和垄断技术。在众多的锑化物中，锑化镓（GaSb）的带隙（0.72 eV）在近红外波段且具有III-V族半导体中最高的空穴迁移率（1000 cm2V-1s-1），被认为是实现新一代高性能红外探测器和高速集成电路中空穴组元的理想沟道新材料之一。
低维化半导体光电材料是新一代信息材料研究的核心。将GaSb低维化为一维纳米线，一方面可以研发新一代高性能室温红外探测器，另一方面可以结构和演绎出全新的集成电路（后摩尔时代Beyond Moore 的主要发展方向之一）。国内外众多的研究团队一直致力于高性能GaSb纳米线光电子器件的研发，然而，器件的性能仍受限于较低的空穴迁移率。首先，锑元素的“趋肤效应”会引起严重的侧表面无序生长，导致GaSb纳米线直径不可控，表面态丰富，迁移率低；其次，GaSb纳米线的晶体结构丰富，极性各异，导致载流子散射作用、载流子浓度不可控，迁移率的均一性难以保证；最后，迁移率与光电探测性能的关联在实验上仍是空白。针对以上科学难题，杨再兴立足“精确控制锑元素趋肤效应”、“调控载流子输运性质”和“调控纳米线表面态”，长期致力于“锑化物低维结构与光电器件”的研究，旨在解决锑化物低维化成纳米线结构的过程中的众多物理难题，力争引领新一代超快红外探测技术和高速集成电路的发展。
主讲人简介
杨再兴，山东大学物理学院教授，博士生导师，山东省泰山学者（青年专家），山东省杰青项目获得者，国家重点研发计划首席科学家（青年）。长期致力于“锑化物低维结构与光电器件”的研究，迄今为止，发表高质量论文80余篇，包括Nat. Commun.、PNAS、Nano Lett.、ACS Nano、Adv. Funct. Mater.、Mater. Today Phys.、Small、Nano Res.等期刊。应邀撰写综述论文4篇，授权发明专利9项。