近日，2014年度上海交通大学“AMD高性能计算奖学金”评选结果揭晓，密西根学院13级博士生邵成成功获评该项奖学金。上海交通大学“AMD高性能计算奖学金”是由AMD公司与上海交通大学高性能计算中心共同设立AMD高性能计算奖学金，该项奖学金每年评选出5位获奖者，奖金金额为一万元人民币，旨在鼓励和支持校内从事高性能计算应用和研究的在读硕士和博士。
据了解，微纳米电子器件的散热是目前制约半导体工艺进一步发展的瓶颈问题。由于芯片集成度与工作主频的持续升高，芯片在工作时其内部会形成局部热点（hot spot），其热量密度高达 1000 W/cm2。如此高的热流密度如果不能及时从芯片内部移除，将会导致芯片内部局部温度过高，降低芯片的可靠性，甚至导致其烧毁。因此，了解热量在微纳尺度的传输机理对于解决芯片的局部散热问题至关重要。基于连续性假设傅里叶定律已经不再适用，在如此小的尺度下（< 100nm）寻找新的传输规律已成为当前研究领域的热点问题。
从2013年10月开始，由密院教师鲍华指导的纳米能量实验室（Nano Energy Group）与上海交通大学高性能计算中心（世界超级计算机500强中排名158）开展了密切的合作。在鲍华的指导下，凭借着高性能计算中心强大的计算优势（一次典型的计算需要128核并行计算48小时），邵成开展了一系列的纳米尺度传热问题的研究。其提出的石墨烯-碳纳米管异质结构可以使界面热导提升40% 并将结果发表在《应用物理学报》（文章链接）。同时邵成系统地研究了热流穿过薄膜的物理过程，提供了一个估算薄膜热阻的简单方法。其结果发表在《国际传热传质杂志》（文章链接），该杂志为传热传质领域的国际顶级学术期刊。
